大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補晶振，日本進口KDS大真空晶振，MO1532是一款超小型晶振尺寸1.5x0.8mm四腳貼片晶振，頻率32.768KHz晶振，溫度補償晶振（TC-MO）MEMS振蕩器，1JAAL0032768BAAX石英晶體振蕩器，有源晶振，該產(chǎn)品具有超小型，輕薄型，低抖動晶振，低功耗晶振，低損耗晶振，低耗能晶振，低電平晶振，低相位噪聲晶振，低電流消耗等特點，無需電源旁路電容，被廣泛用于智能手機，平板電腦，健身帶，通訊設備，無線網(wǎng)絡，藍牙模塊，醫(yī)療保健，物聯(lián)網(wǎng)等應用。

大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補晶振，參數(shù)圖

項目	符號	MO1532規(guī)格說明	1JAAL0032768BAAX條件
輸出頻率范圍	f0	32.768KHZ	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	1.8-3.3.V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-40℃to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃to +70℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.amongcoders.com
		H: -30℃to +85℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±2.5× 10-6
		L: ±1.0× 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	10pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCCMax.	ST終端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補晶振，尺寸圖

大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補晶振

使用每種產(chǎn)品時，請在產(chǎn)品規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。

晶體產(chǎn)品的設計和生產(chǎn)滿足它的規(guī)格書。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高可靠性的產(chǎn)品.但是為了產(chǎn)品的品質(zhì)和可靠性，必須在適當?shù)臈l件下存儲，安 裝，運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品，我們將對于客戶按自己的判斷而使用產(chǎn)品所導致的不良不負任何責任。

所有產(chǎn)品的共同點

抗沖擊：晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。

輻射：暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害，因此應避免照射。

化學制劑/ pH值環(huán)境：請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

粘合劑：請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物：請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補晶振

靜電：過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

在設計時

機械振動的影響：當晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。

PCB設計指導：(1)理想情況下，機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時，機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補晶振

(2)在設計時請參考相應的推薦封裝。

(3)在使用焊料助焊劑時，按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。

(4)請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb含量1000ppm, 0.1wt%或更少)來使用無鉛焊料。

存儲事項

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補晶振

正常溫度和濕度：

溫度：+15°C至+35°C，濕度25 % RH至85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容）。

(2)請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。

大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補晶振

日本大真空株式會社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).

環(huán)境政策,在其業(yè)務活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā),生產(chǎn)和銷售的石英晶體元器件,壓電陶瓷諧振器,石英晶體振蕩器,大真空集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.

日本大真空株式會社KDS晶振將：

通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.

有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).

通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.

避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).

遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律,標準,協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.

根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.

KDS晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的.大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補晶振

過去KDS晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.

KDS晶振集團將：不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.

KDS晶振集團將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設施滿足甚至超出國家的,州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求.

品牌	日本大真空株式會社	型號	尺寸	頻率
KDS晶振	1TJH125DR1A0004	DST1610A	1610	32.768KHz
KDS晶振	1JAAL0032768BAAX	MO1532	1.5x0.8	32.768K
KDS晶振	1TJL070DR1A0009	DST1610AL	1610	32.768KHz
KDS晶振	1ZC12256	DST1210A	1210	32.768KHz
KDS晶振	1TJE090DT1A000B	DST410S	4115	32.768KHz
KDS晶振	1TJN090DP1A0004	DST1210A	1210	32.768KHz
KDS晶振	1XZA032768AD9	DSK321STD	3225	32.768KHz
KDS晶振	1XZA032768AD19	DSK321STD	3225	32.768KHz
KDS晶振	1XTV32768CAA	DSA321SDA	3225	32.768KHz
KDS晶振	1TJH090DR1A0003	DST1610A	1610	32.768KHz
KDS晶振	1TJG090DR1A0013	DST210A	2012	32.768KHz
KDS晶振	1TJG125DR1A0004	DST210A	2012	32.768KHz
KDS晶振	1TJG080DP1A0001	DST210A	2012	32.768KHz
KDS晶振	1TJE125DP1A000A	DST410S	4115	32.768KHz
KDS晶振	1TJH125DR1A0058	DST1610A	1610	32.768KHz
KDS晶振	1TJG090DP1A0005	DST210A	2012	32.768KHz
KDS晶振	1TJG125DR1A0019	DST210A	2012	32.768KHz

深圳市兆現(xiàn)電子有限公司
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