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 X1G0048010039 SG2016CAN 26MHZ CMOS -40+105愛普生編程晶振全硅MEMS振蕩器詳細(xì)介紹MEMS振蕩器市場前景據(jù)行業(yè)猜測微機(jī)電體系振蕩器正以120％的年增加率替代石英振蕩器,還有的猜測微機(jī)電體系振蕩器是將以四倍的年增加率加.X1G0048010039編程晶振,SG2016CAN 26MHZ CMOS -40+105晶振,愛普生全硅MEMS振蕩器從對微機(jī)電體系上漲的行情猜測超越了前期對微機(jī)電體系芯片年增加為30％的猜測.據(jù)介紹在消費(fèi)電子和自動化愛普生晶振電子產(chǎn)品微型化出產(chǎn)及在單CMOS芯片上多振蕩器片上體系MEMS的驅(qū)動下,現(xiàn)有的250萬美元的MEMS振蕩器商場在2012年將增加到140萬美元.2012年之后,MEMS振蕩器將在手機(jī)守時芯片方面到達(dá)10億美元的市場價值.

全硅MEMS振蕩器的制作方法及其長處

SG-8002CA  LB  CE  LA 26.0000M-PCM可編程MEMS振蕩器硅振蕩器MEMS oscillator

可編程的硅振蕩器中文名MEMS振蕩器 外文名MEMS oscillator  SG-8002CA LB CE LA 26.0000M-PCM晶振,可編程晶振,硅振蕩器MEMS振蕩器MEMS振蕩器是指通過微機(jī)電系統(tǒng)制作出的一種可編程的硅振蕩器.產(chǎn)品原理傳統(tǒng)的石英振蕩器是由壓電石英加上簡單的起振芯片和金屬封裝組成的,其生產(chǎn)工藝包括：石英切割鍍銀、購買基座、起振芯片,愛普生晶振以及將石英及芯片以特殊黏膠結(jié)合后至于基座上,然后充填氮?dú)?用金屬封裝進(jìn)行密封.而不同頻率、不同工作電壓振蕩器的產(chǎn)生,則是由石英的不同形狀、鍍銀厚度及所佩的起振芯片所決定.所以,從生產(chǎn)工藝角度,石英產(chǎn)業(yè)是一個人工密集型的半自動化傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),其產(chǎn)品也受到傳統(tǒng)原材料和工藝的限制：

X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON馬斯克和賈躍亭電動汽車造車夢想

馬斯克訪華X1G0051810304晶振,SG-8101CG編程晶振,汽車耐高溫晶振

外交部回應(yīng)馬斯克訪華與中國多部委官員見面

工業(yè)和信息化部部長金壯龍會見特斯拉公司首席執(zhí)行官馬斯克

馬斯克訪華后特斯拉股價收漲超4%，約合近1800億人民幣

網(wǎng)傳馬斯克與與全球動力電池龍頭寧德時代董事長曾毓群會面

馬斯克到北京第一天吃了啥：16道菜沒烤鴨、菜單含“馬”量極高

馬斯克訪華行程曝光 首站北京蟹島愛普生晶振

馬斯克：特斯拉公司反對“脫鉤斷鏈”，愿繼續(xù)拓展在華業(yè)務(wù)

秦剛會見特斯拉首席執(zhí)行官馬斯克

外媒：馬斯克私人飛機(jī)降落北京

賈躍亭FF 91交付

理想汽車?yán)钕氚l(fā)文稱贊FF91，賈躍亭發(fā)文感謝

賈躍亭：感謝李想的支持。作為智能電車時代的拓荒者，很榮幸FF點(diǎn)燃了很多人的夢想。智能電車產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了新的階段，傳統(tǒng)塔尖頂奢市場的上古玩家們都太老了，用戶在呼喚具有極智科技頂奢能力的顛覆者。塔尖變革之路維艱，F(xiàn)F一直在努力，也期待李總有時間來FF洛杉磯總部交流指導(dǎo)

法拉第未來宣布新車售價為30.9萬美元

賈躍亭發(fā)布試駕FF91視頻：終于快到了交付的時刻

賈躍亭：九年不屈，F(xiàn)F 91已經(jīng)不是大家想象中的FF 91了

FF91于4月15日正式下線，一階段交付時間延至5月底日本進(jìn)口晶振

賈躍亭FF91交付時間又“跳票”！用戶：還有未來嗎？

FF達(dá)成1.35億融資 籌集FF91Futurist量產(chǎn)資金

FF 91 Futurist開始量產(chǎn)，預(yù)計(jì)明年4月下線交付

蘋果手機(jī)無線充電器專用晶振CC4V-T1A-32.768kHz-9pF-10PPM-TC-QC瑞士微晶

另外公司還推出了包括符合通信設(shè)備Stratum3及Small cell專用的7.0x5.0mm及5.0x3.2mm SMD型TCXO溫度補(bǔ)償石英振蕩器,以及次世代小型化SMD型VCXO可變電壓控制石英振蕩器等產(chǎn)品,均可充分供應(yīng)高速網(wǎng)絡(luò)與通信設(shè)備市場所需.作為本土供應(yīng)商的代表介紹說,隨著便攜式電子設(shè)備薄型化的設(shè)計(jì)趨勢,晶振產(chǎn)品在小尺寸開發(fā)上要求能夠?qū)崿F(xiàn)從直插到貼片的各種尺寸.另外針對不同的應(yīng)用環(huán)境,也要求晶振產(chǎn)品能夠滿足更寬的工作溫度范圍.

蘋果手機(jī)無線充電器晶振,CC4V-T1A-32.768kHz-9pF-10PPM-TC-QC瑞士微晶

CWX823-012.0M晶振T604-010.0M水晶振蕩子CWX823-024.0M有源晶振T602-030.72M美國晶振CWX823-050.0M有源晶振T602-019.44M進(jìn)口晶振CWX823-032.768M康納溫菲爾德晶振T602-038.88M壓電石英振蕩器CWX823-018.432M歐美晶振T602-019.2M有源貼片晶振CWX823-049.152M石英晶體振蕩器DV75C-025.0M進(jìn)口SMD晶振CWX823-016.0M高端晶振M100V-020.0M晶振CWX823-012.288M貼片晶振T100F-010.0M石英貼片晶振CWX823-020.0M美國進(jìn)口晶振T100F-020.0M有源晶振CWX823-027.0M水晶振蕩子M100F-010.0M康納溫菲爾德晶振CWX823-033.333M美國晶振M100F-019.2M歐美晶振CWX813-024.0M進(jìn)口晶振M100F-020.0M石英晶體振蕩器CWX813-012.0M壓電石英振蕩器M200F-010.0M高端晶振CWX813-018.432M有源貼片晶振M200F-040.0M貼片晶振CWX813-001.8432M進(jìn)口SMD晶振T200F-040.0M美國進(jìn)口晶振CWX813-007.3728M晶振TB602-038.88M水晶振蕩子CWX813-010.0M石英貼片晶振TB512-052.0M美國晶振CWX813-025.0M有源晶振TB522-080.0M進(jìn)口晶振CWX813-027.0M康納溫菲爾德晶振TB524-100.0M壓電石英振蕩器CWX813-033.0M歐美晶振TB512-050.0M有源貼片晶振CWX813-040.0M石英晶體振蕩器TL602-024.576M進(jìn)口SMD晶振CWX813-060.0M高端晶振ML602-020.0M晶振CWX813-004.0M貼片晶振DOT050F-012.8M石英貼片晶振CWX813-016.0M美國進(jìn)口晶振DOT050F-019.2M有源晶振CWX823-100.0M水晶振蕩子DOT050F-019.44M康納溫菲爾德晶振CWX813-080.0M美國晶振DOT050F-020.0M歐美晶振CWX813-064.0M進(jìn)口晶振DOT050V-019.44M石英晶體振蕩器CWX823-001.544M壓電石英振蕩器M602-040.0M高端晶振CWX823-040.0M有源貼片晶振M200F-024.576M貼片晶振CWX823-033.0M進(jìn)口SMD晶振M100V-010.0M美國進(jìn)口晶振CWX823-004.0M晶振TB602-049.152M水晶振蕩子CWX823-025.0M石英貼片晶振T200F-020.0M美國晶振CWX823-001.8432M有源晶振M602-049.152M進(jìn)口晶振CWX813-100.0M康納溫菲爾德晶振T604-040.0M壓電石英振蕩器CWX823-064.0M歐美晶振T100V-012.8M有源貼片晶振CWX813-044.736M石英晶體振蕩器T100V-020.0M進(jìn)口SMD晶振CWX813-012.288M高端晶振T200F-024.576M晶振CWX813-019.44M貼片晶振M200F-020.0M石英貼片晶振CWX813-024.576M美國進(jìn)口晶振T200F-010.0M有源晶振CWX813-030.0M水晶振蕩子DOC100V-020.0M康納溫菲爾德晶振CWX813-020.0M美國晶振ML602-024.576M歐美晶振CWX813-020.48M進(jìn)口晶振TL602-020.0M石英晶體振蕩器CWX813-049.152M壓電石英振蕩器DOT050V-010.0M高端晶振CWX813-050.0M有源貼片晶振DOT050V-019.2M貼片晶振CWX813-029.4912M進(jìn)口SMD晶振DOT050V-020.0M美國進(jìn)口晶振CWX813-066.6666M晶振DOT050F-010.0M水晶振蕩子HSM613-060.0M石英貼片晶振DOC052V-010.0M美國晶振HSM613-020.0M有源晶振OH300-71003SV-010.0M進(jìn)口晶振HSM613-049.152M康納溫菲爾德晶振OH300-50503CV-020.0M壓電石英振蕩器HSM613-050.0M歐美晶振OX9143S3-020.0M有源貼片晶振HSM613-024.576M石英晶體振蕩器DOC020F-020.0M進(jìn)口SMD晶振HSM613-078.125M高端晶振CWX823-010.0M晶振HSM613-098.304M貼片晶振CWX823-029.4912M石英貼片晶振HSM613-114.285M美國進(jìn)口晶振CWX813-001.544M有源晶振HSM613-125.0M水晶振蕩子CWX813-016.384M康納溫菲爾德晶振CWX823-125.0M美國晶振CWX813-072.0M歐美晶振CWX823-156.25M進(jìn)口晶振CWX813-014.31818M石英晶體振蕩器D32G-016.368M壓電石英振蕩器CWX813-015.36M高端晶振D32G-026.0M有源貼片晶振CWX813-045.0M貼片晶振D32G-019.2M進(jìn)口SMD晶振D75F-013.0M美國進(jìn)口晶振HSM93-032.0M晶振D75F-019.44M水晶振蕩子HSM93-016.0M石英貼片晶振TB514-052.0M美國晶振HSM93-020.0M有源晶振TB514-054.0M進(jìn)口晶振HSM93-025.0M康納溫菲爾德晶振TB524-080.0M壓電石英振蕩器PB223-156.25M歐美晶振TB512-054.0M有源貼片晶振D75J-050.0M石英晶體振蕩器T604-019.44M進(jìn)口SMD晶振D75J-038.88M高端晶振T100F-019.2M晶振D75J-040.0M貼片晶振T100V-019.2M石英貼片晶振DV75D-010.0M美國進(jìn)口晶振M100F-012.8M有源晶振DV75D-020.0M水晶振蕩子M100V-012.8M康納溫菲爾德晶振D75A-010.0M美國晶振CSB21-012.688656M歐美晶振D75A-019.2M進(jìn)口晶振CSB21-012.688575M石英晶體振蕩器DV75C-020.0M壓電石英振蕩器DOT050V-012.8M高端晶振DV75C-010.0M有源貼片晶振DOC050F-012.8M貼片晶振P123-125.0M進(jìn)口SMD晶振DOC052F-010.0M美國進(jìn)口晶振P122-100.0M晶振DOC102F-040.0M水晶振蕩子P122-125.0M石英貼片晶振CWX823-060.0M美國晶振D53G-020.0M有源晶振CWX823-024.576M進(jìn)口晶振D75A-012.8M康納溫菲爾德晶振CWX823-008.0M壓電石英振蕩器D75A-020.0M歐美晶振CWX823-007.3728M有源貼片晶振P122-156.25M石英晶體振蕩器CWX823-066.6666M進(jìn)口SMD晶振P123-156.25M高端晶振HSM93-004.9152M晶振T602-025.0M貼片晶振HSM93-050.0M石英貼片晶振T602-020.0M美國進(jìn)口晶振D75F-027.0M有源晶振T602-010.0M水晶振蕩子P123-100.0M康納溫菲爾德晶振T604-020.0M美國晶振D53G-026.0M歐美晶振T604-030.72M進(jìn)口晶振P222-125.0M石英晶體振蕩器DV75C-040.0M壓電石英振蕩器P143-125.0M高端晶振P143-100.0M有源貼片晶振LM113-288.0M貼片晶振D75AS-020.0M進(jìn)口SMD晶振P142-125.0M美國進(jìn)口晶振DV75C-012.8M晶振LM113-200.0M水晶振蕩子P143-155.52M石英貼片晶振P142-100.00M美國晶振P142-156.25M有源晶振P223-125.0M進(jìn)口晶振TB522-100.0M康納溫菲爾德晶振PM113-250.0M壓電石英振蕩器P213-100.0M歐美晶振P222-100.0M有源貼片晶振P212-100.0M石英晶體振蕩器PM113-200.0M進(jìn)口SMD晶振P213-156.25M高端晶振P223-100.0M晶振T604-012.8M貼片晶振LM113-312.5M石英貼片晶振T605-030.72M美國進(jìn)口晶振PM113-466.56M有源晶振.