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SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1602B晶振

頻率：3.75 MHz~77.76 MHz

尺寸：2.0*1.6mm

有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.

訂購熱線：0755-27876236

SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1602B晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.
SiTime改變了時機市場。在過去的幾十年里，石英晶體振蕩器、有源晶振，時鐘發(fā)生器和諧振器是電子器件中主要的參考計時元件。由于沒有其他選擇，oem和ODMs接受了石英計時設備的固有限制?，F(xiàn)在，隨著強大的MEMS諧振器和高性能模擬電路的出現(xiàn)，SiTime已經(jīng)開發(fā)出了克服石英器件局限性的突破性解決方案。
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

SiTimeCrystal規(guī)格參數(shù)	SiT1602B晶振
頻率范圍	3.75 MHz~77.76 MHz
頻率穩(wěn)定度公差	±20 PPM
工作溫度范圍	-40°C to +85°C
等效串聯(lián)電阻	See ESR Table
負載電容	15 pF
激勵功率	0.5 μW
老化@ + 25°C	±1 ppm/yr
電壓	1.62 V to 3.63 V
儲存溫度范圍	-55 ~ +125°C

SiT1602B 2016 2520 3225 5032 7050 OSC

超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波9SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗.但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞.
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應避免使用可能對石英水晶諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等.
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固.這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會負面影響晶振的可靠性和質(zhì)量.請清理殘余的助焊劑并烘干PCB.
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產(chǎn)生.SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1602B晶振

SiTime集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從可編程晶體振蕩器源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關注于預防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意.
SiTime晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī).為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少SiTime可編程晶振廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應.
對我們的編程振蕩器產(chǎn)品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.公司的各項能源、資源消耗指標和排放指標達到國內(nèi)領先、國際先進水平.SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1602B晶振